海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室环保设施改造项目职业病危害预评价报告

    武汉兴业安全技术服务有限责任公司2019年1月份业绩公示：海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室环保设施改造项目职业病危害 预评价报告，海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室环保设施改造项目建设单 位为海思光电子有限公司，项目位于武汉市东湖新技术开发区高新大 道 999 号。拟在现有生产基础上增加投用新型原材料，以增加新型激 光器和光探测器的产能，多型号合计增加产能 450 万个；并计划改造 一套使用物理化学法与膜处理工艺的废水处理设置，升级现有的废气 处理设施，以保证新增产能引入的环境污染。劳动定员约 300 人，实 行三班工作制，全年工作日为 330 天，每班工作 8 小时。该项目存在的职业病危害因素主要有：铅及其无机化合物、镉及其化合物、砷及其无 机化合物、乙醇胺、四氯乙烯、二甲苯、三氯甲烷、正丁胺、乙腈、 甲醇、氨、氯、盐酸、二氧化氮、丙酮、异丙醇、氢氧化钠、过氧化 氢、磷酸、硫酸、砷化氢、磷化氢、乙酸丁酯、铟及其化合物、氧化 铝粉尘、矽尘、高频电磁场、紫外辐射、激光辐射、工频电场、噪声、 高温。评价结论：海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室环保设施改造项目建 立了职业卫生管理机构，各项制度基本完善，职业病防护设施运行正 常，个人使用的防护用品管理较为规范，辅助卫生用室基本完备，其 职业病控制效果基本达到《中华人民共和国职业病防治法》及《工业 企业设计卫生标准》（GBZ1-2010）的要求。

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